SI7922DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7922DN-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.77 |
10+ | $1.586 |
100+ | $1.2748 |
500+ | $1.0474 |
1000+ | $0.8678 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 2.5A, 10V |
Leistung - max | 1.3W |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.8A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI7922 |
SI7922DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7922DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
VISHAY QFN
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
VISHAY QFN
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
VISHAY QFN-8
VISHAY PowerPAK1212-8
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
VISHAY 1212-8
VISHAY QFN
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
SI7923DN-T1-e3ct-nd VISHAY
VISHAY QFN8
VISHSY QFN8
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
VISHAY QFN3.3X3.3
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
2025/01/15
2024/07/4
2024/05/6
2024/03/25
SI7922DN-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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